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中波段高工作温InAs/GaSb超晶格探测器研发

合作单位:武汉高德红外股份有限公司    中国科学院半导体研究所

项目简介: InAs/GaSb 超晶格是制备第三代高工作温度红外探测器的理想材料,其性能优越、适于规模制造、应用前景广阔。本项目结合中科院半导体所与武汉高德红外的技术优势联合开发面向红外成像、红外制导的探测器芯片及组件,掌握高工作温度超晶格红外探测器制造自主专利技术,为广阔的市场应用提供新一代探测器产品。

 

 

 
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